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IGBT
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
Insulated Gate Bipolar Transistor

MOS-FETの欠点である高耐圧に伴って高くなるオン抵抗による発熱と
バイポーラトランジスタの欠点である低いスイッチング速度を補ったもの

電車ではGTOと呼ばれるサイリスタ(ダイオードのようなもの)が以前は使われていましたが
今はかなりIGBTに置き換わっているようです

参考
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